成电讲堂

　　近日，中国科学技术大学龙世兵教授和西安电子科技大学周弘教授应邀做客“学者论坛”，作题为“超宽禁带半导体器件、存储器等领域的研究”及“基于氮化镓微波二极管的大功率整流和限幅研究”的讲座，集成电路科学与工程学院罗小蓉教授主持。

　　龙世兵教授介绍其课题组在氧化镓功率电子器件领域的研究进展。通过控制氧化镓表面洁净度，实现了功率优质高达1.32 GW/cm2的高性能无终端氧化镓二极管；利用氧化镓的热氧化高阻特性，设计并制备出击穿电压达1800V的热氧终端二极管；进一步地采用结终端扩展结构及退火工艺实现结终端高耐压(1770 V)及高耐温(250 ℃)异质结二极管；此外，设计并实现氧化镍栅结构的增强型氧化镓晶体管。

　　周弘教授针对氮化镓二极管中低开启电压与低泄漏电流高击穿电压之间的矛盾关系，详细地介绍了氮化镓二极管中低势垒高度与高反向漏电相矛盾的科学问题解决方案，并介绍高频、大功率、低开启与高耐压等近理想氮化镓二极管的工作机理和制备方法。基于该氮化镓二极管的整流电路实现了在相同高效率情况下近10-50倍整流功率的提升，并同时实现了在5.8 GHz时的无线能量传输。

　　参会师生就氧化镓与氮化镓半导体功率器件研究相关问题与两主讲专家进行了热烈交流和讨论。

　　本次活动由教师发展中心主板、集成电路科学与工程学院承办。

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　　龙世兵，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授，国家杰出青年科学基金获得者，IEEE高级会员，Committee Member of the Power Devices and Systems (PDS) sub-committee for IEDM 2021-2022。从事超宽禁带半导体器件、存储器等领域的研究。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得2013年国家技术发明奖二等奖、2016年国家自然科学二等奖、2018年中国科学院杰出科技成就奖。在IEEE EDL/TED、Nat. Commun、Adv. Mater.等国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引6000余次，H因子43，6篇论文入选ESI高引论文（累计引用居前1%的论文）。申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯，7项专利作价入股于合肥中科微电子创新中心公司。

　　周弘，西安电子科技大学教授、博士生导师，国家青年高层次人才计划及国家优秀青年基金项目入选者。本科毕业于电子科技大学，近10年来先后师从IEEE和APS Fellow普渡大学杰出教授叶培德、美国工程院院士/科学奖章获得者胡正明教授以及中国科学院院士郝跃教授。一直从事新型半导体功率器件和材料、微波器件以及逻辑器件的结构、工艺与机理研究，包括宽禁带半导体GaN肖特基二极管（SBD）与高电子迁移率晶体管（HEMT）,超宽禁带半导体β-Ga2O3和AlN SBDs与FETs等微波功率与电力电子器件，Si、InGaAs 亚10 nm节点的NC-FinFET、GAA。主持科技部重点研发计划课题以及JKW项目等5项，研究成果应用于我国重大工程。在国际主流期刊和会议上发表学术论文100余篇，其中ESI高被引论文6篇。以第一或通讯作者在领域顶级期刊包括Nat. Comm.、IEEE EDL/TED/TIE/TPE、APL等期刊上发表论文50余篇；以第一作者在半导体领域顶级会议包括VLSI和DRC上发表会议论文20余篇；研究成果被国际知名行业杂志《Compound Semiconductor》《Semiconductor Today》《Controlled Environment》《Nano work》《Physorg.com》等近10余次报道，在国际会议做特邀或口头报告15次，Google学术引用超过3400次。