新加坡科技设计大学杨声远教授做客物电论坛

文:陈科羽 / 来源:物电学院 / 2017-09-06 / 点击量:1485

  9月5日,新加坡科技设计大学杨声远教授做客物电论坛,带来题为Topoiogical Materials and Emergent Chiral Fermions的主题讲座,为师生们全方位地讲解了拓扑半金属相关理论知识。

QQ截图20170906161619.jpg

  拓扑半金属是近年来凝聚态物理非常活跃的一支前沿领域。杨声远博士首先介绍了近年来拓扑半金属中领域量子输运效应的最新实验和理论进展,从材料模拟的角度出发,系统地介绍了他本人在拓扑半金属中利用压强来模拟高能物理中的引力效应和黑洞物理等方面的最近研究工作。杨声远博士的报告深入浅出,精彩的讲解激发了师生浓厚的兴趣。在互动交流环节,杨声远博士详细回答了师生的提问。


  相关链接:

  杨声远,江苏省南京市人。2001-2002年就读于清华大学电气自动化专业。2002年获香港赛马会奖学金进入香港大学数学物理专业,2005年获理学学士。2005-2011年在美国得克萨斯大学奥斯汀分校修读凝聚态物理理论研究生,2011年获博士学位。2011-2013年在休斯敦CGG Veritas US Services公司工作,任地质成像研究员。2013年6月开始在新加坡科技设计大学担任助理教授至今。以往的研究课题包括磁性薄膜材料的电磁特性,发现了磁壁运动引起的普适电动势,激光二次谐波的发射理论,低维度纳米新材料如石墨烯,二硫化钼的物理性质,拓扑电子通道的传输性质,和杂质散射对强自旋轨道耦合系统的影响等。发现了磁壁运动引起的普适电动势。目前的研究方向包括拓扑半金属,拓扑绝缘体,二维材料和纳米结构的物理性质,电子晶体,自旋和谷电子学,量子输运,磁性微结构的动力学,可充电电池电极材料等。


编辑:罗莎  / 审核:林坤  / 发布者:林坤