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名师讲堂:郑耀宗院士-香港电子信息科学的发展与历史变迁
文:教师发展中心 来源:党委教师工作部、人力资源部(教师发展中心) 时间:2017-04-01 4558

  人力资源部教师发展中心开展“名师讲堂”系列活动,定期邀请国内外知名专家学者、国家级教学名师等作专题报告,旨在加强广大师生的学术思想交流和碰撞,促进青年教师的成长,开拓学生视野。

  “名师讲堂”第62期活动特别邀请我校发展战略咨询委员会委员、中国科学院院士、香港大学原校长、香港城市大学原校长郑耀宗教授主讲,欢迎广大师生参与。具体安排如下:

  一、主 题:香港电子信息科学的发展与历史变迁

  二、主讲人:中国科学院院士 郑耀宗 教授     

  三、时 间:2017年4月6日(周四)16:20

  四、地 点:清水河校区图书馆大型视听阅览室(光影厅)

  五、主持人:微电子与固体电子学院 钱凌轩 副教授  

  六、内容简介

  郑耀宗院士曾于1989年至1996年任香港城市大学校长,1996年至2000年任香港大学校长,曾任第九、十届全国政协委员、香港特别行政区筹备委员会委员等,见证了电子信息技术与产业在香港的发展与变迁。报告中,郑耀宗院士将讲述微电子技术50年以来改变世界的历史,尤其着重介绍香港在20世纪70年代以后政府、社会、高校共同参与半导体产业和研究的发展经验,以及80年代后期开始辐射并带动大陆的电子信息产业发展的过程。时至今日,香港仍然是我国电子信息技术领先的地区,在新形势下如何促进电子信息产业的陆港合作,是当前我们保持创新驱动力的重要课题。

  七、主讲人简介

  郑耀宗,我国著名微电子学专家。原籍广东中山,生于香港。曾任香港城市大学校长、香港大学校长、教授。长期以来对金属-氧化硅-硅(MOS)系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术,解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题,使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论,在MOS集成电路进入深亚微米阶段后,这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素,这是对MOS器件物理的一大发展。他是较早开展氮化硅技术的研究者之一,在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。1999年当选为中国科学院院士。

  2016年,郑耀宗受聘为我校发展战略咨询委员会委员,任我校特聘讲席教授。

  八、主办单位:人力资源部教师发展中心

    承办单位:微电子与固体电子学院


                   人力资源部教师发展中心

                     2017年4月1日


编辑:林坤  / 审核:罗莎  / 发布:林坤

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