学　术

　　人力资源部教师发展中心开展“名师讲堂”系列活动，定期邀请国内外知名专家学者、国家级教学名师等作专题报告，旨在加强广大师生的学术思想交流和碰撞，促进青年教师成长，开拓学生视野。

　　“名师讲堂”第53期活动特别邀请来自俄罗斯无线电工程与电子学研究所的Boris M. Garin主研究员主讲，欢迎广大师生参与。具体安排如下：

　　主　题：Ultralow Absorption in Silicon Carbide in the Millimeter-Wave Range

　　主讲人：Boris M. Garin　俄罗斯无线电工程与电子学研究所研究员 

　　时　间：2016年12月19日（周一）上午9点

　　地　点：沙河校区逸夫楼521

　　主持人：段兆云教授

　　主办单位：人力资源部教师发展中心

　　承办单位：物理电子学院

　　内容简介：

　　主讲人提出了一套用于毫米波领域其频段为50至80GHz的低电介质损耗材料的测量方法及相应设备。该设备是基于一个含有低半径曲率的球面镜的紧凑型开放式谐振腔。相对于该频段的其他现有的测量方法，这种测量方法对测量的低损耗样本的半径要求更低，同时样本厚度相对于波长而言可以为任意值，因而具备明显的优势。

　　一种新型的低吸收率、高纯度、半绝缘体单晶体碳化硅多型体材料6H-SiC在69.4GHz及室温下测得的电介质损耗正切角为tga=6×10^-5，这是迄今为止在毫米波领域测得的碳化硅的最低损耗值。同时与其他低损耗材料如蓝宝石及石英单晶体相比，其测得的损耗更低。另外，该样本损耗仅仅高于化学气相沉积CVD的最低损耗，但是碳化硅的生长成本远低于后者。综上所述，6H-SiC是一种在毫米波频段具有低吸收率、高纯度、低成本特性的半绝缘体材料。

　　最后，讲座将对于测得的低损耗的物理机理将做进一步的探讨。

　　主讲人介绍：

　　Boris M. Garin，1947年出生于俄罗斯伏尔加格勒，1974年在莫斯科物理与技术学院取得物理学与数学博士学位。1974年成为俄罗斯科学院的无线电工程和电子学研究所研究员。从1984年至今，主持了一系列研究各种材料在毫米波和太赫兹范围的介电和电磁特性的科研项目。从2006年开始任职领导研究员（Leading Researcher）。他的研究兴趣主要集中在发展各种材料在毫米波和太赫兹范围的介质损耗理论。B. M. Garin作为主要负责人主持了多项国际科学基金（如USA基金，1993，1994，欧盟INTAS基金，2002-2004），俄罗斯基础研究基金（如RFBR，1996，2007-2008，2010，2011-2012），俄罗斯科学与技术部基金（1996-1999）等。此外，他还是由俄罗斯基础研究基金和中国国家自然科学基金联合支持的多个项目的俄罗斯方面的项目负责人。B. M. Garin获得“苏联发明者”称号（1980）和俄罗斯纪念莫斯科八百五十周年荣誉勋章（1997），并多次获得A. S. Popov's科学技术学会的奖励（1985，1988，1989等）。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　人力资源部教师发展中心

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2016年12月16日