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我校功率半导体领域学术成果又一次赢得国际赞誉
文:王卓 图:王卓 来源:原微电子与固体电子学院 时间:2016-06-20 8448

  6月12-16日,国际功率半导体领域一年一度的学术盛会ISPSD 2016(The 28th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)在捷克首都布拉格举行,来自全球的400余名代表参加了今年的会议。会议一共录取115篇文章。大会技术委员会主席在开幕式上介绍了会议论文情况,其中日本东芝公司以7篇文章名列本次会议发表文章数之首,电子科技大学以6篇文章与德国英飞凌公司、日本三菱公司并列第二。电子科技大学在功率半导体领域又一次扬名国际学术界,再次为中国赢得荣誉。

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  本次会议由美国电气和电子工程师协会电子器件分会(IEEE Electron Devices Society)、欧洲功率电子中心(European Center for Power Electronics)和日本电气工程师协会(The Institute of Electrical Engineers of Japan)共同主办。

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  ISPSD(功率半导体器件和功率集成电路国际会议)涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、应用等功率半导体领域的所有方面,是功率半导体领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议,每年吸引超过400名本领域顶尖的工程师、科研工作者和学生参会会议四年一个周期,在欧洲、北美、日本和其他地区轮流举办。在ISPSD 2015上,电子科技大学陈星弼院士获得了“国际功率半导体先驱奖”(ISPSD 2015 Pioneer Award),成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。

  功率半导体是我校微电子领域的特色学科方向,也是我校电子薄膜与集成器件国家重点实验室的三大主要学术研究方向之一,为电子科技大学集成电路研究中心的核心组成部分。


相关链接:

  陈星弼院士成为首位获IEEE ISPSD“先驱奖”华人科学家


编辑:罗莎  / 审核:林坤  / 发布:林坤

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